Kwalifikacja: EE8 - Kwalifikacja EE8
Zgodnie z przedstawionym w tabeli standardem opisu pamięci PC-100 wskaż pamięć, która ma maksymalny czas dostępu 6 nanosekund i minimalne opóźnienie między sygnałami CAS i RAS wynoszące 2 cykle zegara: Specyfikacja wzoru: PC 100-abc-def jednolitego sposobu oznaczania pamięci.
Specyfikacja wzoru: PC 100-abc-def jednolitego sposobu oznaczania pamięci. | ||
a | CL (ang. CAS Latency) | minimalna liczba cykli sygnału taktującego, liczona podczas operacji odczytu, od momentu uaktywnienia sygnału CAS, do momentu pojawienia się danych na wyjściu modułu DIMM (wartość CL wynosi zwykle 2 lub 3); |
b | tRCD (ang. RAS to CAS Delay) | minimalne opóźnienie pomiędzy sygnałami RAS i CAS, wyrażone w cyklach zegara systemowego; |
c | tRP (ang. RAS Precharge) | czas wyrażony w cyklach zegara taktującego, określający minimalną pauzę pomiędzy kolejnymi komendami, wykonywanymi przez pamięć; |
d | tAC | Maksymalny czas dostępu (wyrażony w nanosekundach); |
e | SPD Rev | specyfikacja komend SPD (parametr może nie występować w oznaczeniach); |
f | Parametr zapasowy | ma wartość 0; |